更新時間:2015-04-060
Intel今天發布了新的SSD 750系列固態硬盤，將企業級平臺引入到桌面，首次給消費級固態硬盤帶來了NVMe標準協議支持，還有18通道主控、1.2TB閃存、SFF-8639新接口，號稱能跑出2.4GB/s的超高速度。
AnandTech迅速完成了對這塊神器固態硬盤的評測，重點對比了三星最新的SM951 512GB，也支持PCI-E 3.0 x4通道但接口協議還是AHCI(一度說要支持NVMe)，另外還加入了上代XP941 512GB，通道走的是PCI-E 2.0 x4 AHCI。
【持續讀寫性能：Intel沒飆出來】
持續讀取速度上，Intel雖然飆出了1.28GB/s，但還是不及三星的1.47GB/s。
看不同隊列深度的表現就明白了。Intel在高深度下很牛，QD16/32沖到了2.75GB/s，但是低深度太差了，只有1GB/s多點，而三星基本穩定在1.5GB/s左右。
持續寫入速度上，Intel翻了身，1.29GB/s領先三星足足40％。
但其實也沒那么樂觀。Intel其實在各隊列深度下根本沒有什么不同，特別是QD1下二者幾乎沒啥區別，而三星不但容量小了一半，懷疑散熱也有不足，否則不至于隊列深度 提高后會差么多。
【隨機讀寫性能：痛扁三星】
雖然有NVMe，但是隨機讀取并沒有太好的表現，再次不如三星。
NVMe理論上可以改善低深度的性能，性價比高的智能手機，因為它的系統開銷更少，但這里NAND閃存成了瓶頸，或許未來換成3D閃存會好一些。
很有趣，Intel、三星在QD16及之前幾乎沒啥不同，QD32 Intel才爆發，突破了200000 IOPS，而且NVMe還可以支持更高的隊列深度，只不過消費級負載根本用不到罷了。
隨機寫入完爆三星，超越足足60％，低延遲的NVMe應該功不可沒。
可以看出Intel的隊列深度擴展效率很高，一直到QD8才停下來，三星則只到QD2，而且看看QD1/2時的差距有多大，這說明在隨機寫入頻繁的應用中，SSD 750絕對會是個怪物。
【混合讀寫性能：還是隨機吊】
混合持續讀寫，二者彼此彼此，但都很高。
純讀取或者純寫入時候速度都很高，但混合之后就下來了，即便如此最低也都在 400MB/s，而絕大多數SATA 6Gbps硬盤都只有大約200MB/s。
混合隨機讀寫，Intel又爆發了，領先足足60％。
主要還是得益于優異的隨機寫入能力，寫入比例越高Intel越厲害，三星則越來越差。
【AnandTech綜合測試套裝】
極限負載：
高負載：
低負載：
極限負載下異常突出，完爆三星，但是高低負載就沒什么優勢了，平均數據率還低了不少。
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